| 主权项 |
1.一种减少浅沟槽隔离区产生角落凹陷(cornerrecess)之制程,包括下列步骤:在一半导体基底上形成一浅沟槽隔离区;形成一多孔性臭氧-四乙氧基矽甲烷(O|^3-TEOS)氧化层,覆盖在该半导体基底和该浅沟槽隔离区表面上;利用一光阻图案当作罩幕,蚀刻该多孔性O|^3-TEOS氧化层以形成一开口,露出该半导体基底将制作自行对准金属矽化物(salicide)的区域;在该开口中形成所需的金属矽化物;以及施行一蚀刻程序去除该多孔性O|^3-TEOS氧化层以再度露出该浅沟槽隔离区,其中藉由该多孔性O|^3-TEOS氧化层与该浅沟槽隔离区之间的高蚀刻选择比,减少该浅沟槽隔离区受侵蚀而产生非期望之角落凹陷。2.如申请专利范围第1项所述一种减少浅沟槽隔离区产生角落凹陷(corner recess)之制程,其中形成该浅沟槽隔离区的步骤包括:利用一遮蔽层图案当作罩幕,蚀刻该半导体基底以形成一浅沟槽;形成一氧化矽层填入该浅沟槽中,并且覆盖在该遮蔽层表面上;施行一化学性机械研磨程序,去除该氧化矽层高出该遮蔽层表面的部分,而留下其位于该浅沟槽内的部分以形成一元件隔离区;以及去除该遮蔽层图案,完成该浅沟槽隔离区的制造3.如申请专利范围第2项所述一种减少浅沟槽隔离区产生角落凹陷之制程,其中该遮蔽层系包含一垫氧化层和一氮化矽层。4.如申请专利范围第2项所述一种减少浅沟槽隔离区产生角落凹陷之制程,其中系施行一高密度电浆化学气相沈积(HDPCVD)程序以形成该氧化矽层。5.如申请专利范围第2项所述一种减少浅沟槽隔离区产生角落凹陷之制程,其中系施行一次常压化学气相沈积(SACVD)程序和一热退火密化程序以形成该氧化矽层。6.如申请专利范围第1项所述一种减少浅沟槽隔离区产生角落凹陷之制程,其中系藉由降低沈积反应的压力以形成该多孔性O|^3-TEOS氧化层。7.如申请专利范围第1项所述一种减少浅沟槽隔离区产生角落凹陷之制程,其中系藉由降低沈积反应的温度以形成该多孔性O|^3-TEOS氧化层。8.如申请专利范围第1项所述一种减少浅沟槽隔离区产生角落凹陷之制程,其中系藉由降低臭氧:四乙氧基矽甲烷的供应比例以形成该多孔性O|^3-TEOS氧化层。9.如申请专利范围第1项所述一种减少浅沟槽隔离区产生角落凹陷之制程,其中系于温度约为400C、压力约为60Torr条件下,施行一次常压化学气相沈积程序以形成该多孔性O|^3-TEOS氧化层。10.如申请专利范围第1项所述一种减少浅沟槽隔离区产生角落凹陷之制程,其中该蚀刻程序对该多孔性O|^3-TEOS氧化层与对该浅沟槽隔离区的蚀刻选择比(selectivity)约为10:1。11.如申请专利范围第1项所述一种减少浅沟槽隔离区产生角落凹陷之制程,其中该蚀刻程序系使用较浓的蚀刻液来进行的。12.如申请专利范围第11项所述一种减少浅沟槽隔离区产生角落凹陷之制程,其中该较浓的蚀刻液系10:1的缓冲蚀刻液(B.O.E.)。 |
