| 摘要 |
<P>L'invention concerne un procédé de fabrication d'un transistor MOS, comprenant les étapes consistant à délimiter au moyen d'un premier masque de résine des zones d'implantation de drain (24) et de source (25) de type N; éliminer le premier masque et faire diffuser le dopant implanté; recuire, d'où il résulte qu'il se forme un oxyde plus épais (28, 29) au-dessus des régions de source et de drain qu'au-dessus de la partie centrale d'isolement de grille (27); former un doigt de silicium polycristallin au-dessus de la partie centrale d'isolement de grille (27) de façon à constituer la grille (30) du transistor MOS; et procéder à une deuxième implantation de source/drain (34, 35).</P>
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