PROCEDE POUR FAIRE CROITRE UN MONOCRISTAL

摘要

L'invention concerne un procédé pour faire croître un monocristal 28 qui comprend la mise en contact d'un germe cristallin 25 avec une zone fondue 26 d'un matériau polycristallin ayant une première extrémité 24a et une seconde extrémité 24b, puis le déplacement de la zone fondue de manière qu'elle s'éloigne du germe cristallin, dans lequel la concentration en oxygène de l'atmosphère pendant la mise en contact et le déplacement est inférieure à environ 10 % en volume.