| 摘要 |
<P>L'invention procure un dispositif à semiconducteur comprenant un transistor MOS ayant une structure SOI, dont la vitesse de fonctionnement est stable. Le transistor comprend des régions de source et de drain (11, 12) formées dans une couche SOI, une région de corps qui est une région de la couche SOI s'étendant entre les régions de source et de drain, et une électrode de grille (6) formée sur la région de corps. Le transistor est conçu de façon à vérifier la relation R C. f < 1, dans laquelle C désigne une capacité de grille (F), R désigne une résistance de corps (OMEGA) f désigne une fréquence de fonctionnement (Hz) et f >= 500 MHz.</P> |
