| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verdrahtungsverfahren zur vertikalen System-Integration. Beim erfindungsgemäßen Verfahren werden zunächst gemäß dem Stand der Technik (DE 44 33 846 A1) die einzelnen Bauelementelagen in unterschiedlichen Substraten unabhängig voneinander prozessiert und nachfolgend zusammengefügt. Zunächst werden auf der Vorderseite des Topsubstrates Vialöcher (9) geöffnet, die vorzugsweise alle vorhandenen Bauelementelagen durchdringen. Danach wird das Topsubstrat (0) von der Rückseite her bis an die Vialöcher (9) gedünnt. Anschließend wird ein fertig prozessiertes Bottemsubstrat (12) mit dem Topsubstrat (0) verbunden. Nachfolgend werden die Vialöcher (9) bis auf eine Metallisierungsebene des Bottomsubstrates verlängert (sog. Interchip-Vialöcher) und der Kontakt zwischen Top- und Bottomsubstrat hergestellt (Verdrahtung). Die Verdrahtung wird gemäß vorliegender Erfindung in einer Weise ausgeführt, die eine maximale Dichte der vertikalen Kontakte zwischen der Metallisierung des Topsubstrates (0) und der Metallisierung des Bottomsubstrates (12) ermöglicht.</p> |
