快闪记忆单元区平坦化的制造方法

摘要

本发明系揭露一种快闪记忆体记忆单元区平坦化的制造方法，其系在一半导体基板上依序形成有图案化多晶矽层及氮化矽层，再利用高密度电浆(HDP)化学气相沈积法沈积一二氧化矽层，按着再沈积一氮化矽层，最后以热磷酸将氮化矽层及其上方的二氧化矽层一同去除。由于本发明并不需使用化学机械研磨法，以致无该法所引起之微刮伤问题。因此本发明不仅可确保快闪记忆体记忆单元区高度平坦化之需求，且可简化制造流程及提高蚀刻光罩的制程容许度，并可有效提升记忆单元区之功能。

主权项

2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该多晶矽层系利用低压化学气相沈积法(LPCVD)形成。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该氮化矽层系利用低压化学气相沈积法(LPCVD)及电浆化学气相沈积法(PECVD)其中之一形成者。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该氧化层系利用高密度电浆化学气相沈积法(HDPCVD)所形成的二氧化矽层。5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中去除部份该氧化层之方式系利用湿蚀刻法完成者。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中在该周边电路多晶矽上方的该氧化层及该第二氮化矽系利用蚀刻法去除者。7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中在去除该周边电路多晶矽上的该氧化层及第二氮化矽之步骤时,作为记忆单元区之多晶矽层系被光阻保护住。8.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该侧向蚀刻残留之氧化层的方法系利用湿式蚀刻法来进行。9.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中该湿式蚀刻系利用氢氟酸或缓冲氧化蚀刻来完成者。10.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中形成该第二氮化矽层的方法系利用低压化学气相沈积法及电浆化学气相沈积法其中之一所形成者。11.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该同时去除氮化矽层、剩余之该氧化层及第二氮化矽的方法系利热磷酸进行湿式蚀刻所形成者。图式简单说明:第一A图至第一G图系本发明一较佳实施例之流程的主要步骤剖视图。