非易失性半导体存储器件及其过写入补救方法

摘要

一种非易失性半导体存储器件及其过写入补救方法，在过写入核实时，当从已选出的存储器单元（ＭＣ１－ＭＣｎ）读出数据，位线电位就相应于此数据而变化。若使晶体管（Ｑ１）导通，则与位线（ＢＬ１）的数据相应地固定锁存电路（ＬＴ）。根据该锁存电路（ＬＴ）的状态，当有过写入状态的存储器单元的情况下，将选择出的存储器单元的数据锁存在锁存电路（ＬＴ）中，消去１页的数据。此后，用锁存在锁存电路（ＬＴ）中的数据，进行通常的写入动作。

主权项

1．一种非易失性半导体存储器件，它包括：包含多个存储器单元的存储器单元阵列(11)；连接前述存储器单元阵列的位线，其特征在于，还包括：锁存为了写入被选定的前述存储器单元的数据，以及从前述存储器单元读出的数据的锁存电路；连接在前述锁存电路和前述位线之间，当在多个前述存储器单元中有过写入状态的存储器单元的情况下，读出该存储器单元的数据，复制在前述锁存电路中，当消除前述存储器单元的数据后，将复制在前述锁存电路中的数据写入前述存储器单元的控制电路。