| 摘要 |
Bei einer Speicheranordnung mit Speicherzellen, bei der jede Speicherzelle einen Auswahltransistor und einen Grabenkondensator umfaßt, wobei die Speicherelektrode (12) von einem Substratbereich entlang der Grabenwand gebildet wird, und bei der die eine gemeinsame Gegenelektrode mehrerer Speicherzellen bildende Zellplatte (14) im Innern des Grabens gebildet ist, wird die Zellplatte an der Substratoberfläche in Form von Streifen strukturiert. Die Streifen können parallel zur Richtung von Zellreihen laufen oder mit dieser Richtung einen Winkel einschließen. Durch die streifenförmige Anordnung wird die minimale Strukturbreite im Bereich der Zellplatte verdoppelt. <IMAGE> <IMAGE>
|
