发明名称 灰化基板上有机物料之方法
摘要 由基材灰化有机薄膜系经由提供电装进行,该电浆包含一种选自下列族群之一种气体或气体混合物:(a)单独三氧化硫;(2)三氧化硫加一种补充气体;以及(3)三氧化硫加至少两种补充气体。下列任一种气体皆可用作补充气体:氧、臭氧、氢、氮、氮氧化物、氦、氩或氖。又提供一种方法用以于反应腔室由含三氧化硫之反应物气体形成电浆。该方法包括将三氧化硫由储存容器经由输送歧管导入反应腔室内,该方法系经由分别加热储存容器及输送歧管至足够维持三氧化硫于其气态或液态之温度,以及经由加热反应腔室而控制三氧化硫的反应速率,也控制三氧化硫的冷凝俾维持稳定电浆状态。
申请公布号 TW481860 申请公布日期 2002.04.01
申请号 TW089119984 申请日期 2000.09.27
申请人 安诺公司 发明人 艾利克O 利文森;阿马德 华立合
分类号 H01L21/306;C09K13/00 主分类号 H01L21/306
代理机构 代理人 恽轶群 台北巿南京东路三段二四八号七楼;陈文郎 台北巿南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种由一基材表面去除有机材料之方法,包含下 列步骤: (a)形成一种电浆,该电浆系由一种不含卤素且不含 烃之反应气体形成,该反应气体包含三氧化硫以及 选择性5至99%容积比至少一种选自氧、臭氧、氢、 氮、氮氧化物、氦、氩及氦组成的族群之补充气 体;以及 (b)允许电浆冲击于含盖有机材料之基材表面经历 一段足够灰化有机材但不足以攻击基材表面的时 间。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该反应气 体主要系由三氧化硫气体组成。3.如申请专利范 围第1项之方法,其中该反应气体主要系由三氧化 硫及一种补充气体组成,该三氧化硫具有约1至95% 容积比范围之浓度。4.如申请专利范围第1项之方 法,其中该反应气体主要系由三氧化硫及至少两种 补充气体组成,该三氧化硫具有约1至95%容积比范 围之浓度。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该 氮氧化物系选自氧化亚氮(N2O),氧化氮(NO),三氧化 氮(NO3)及二氧化氮(NO2)组成的族群。6.如申请专利 范围第1项之方法,其中有机材料包含一种选自聚 合及非聚合抗光蚀剂,抗光蚀剂残余物,光敏及非 光敏有机化合物、涂料、树脂、多层有机聚合物 、有机金属复材、侧壁聚合物、通孔罩、金属篱 、混成有机/无机化合物,电介质材料及有机旋涂 于玻璃制成的族群之物质。7.如申请专利范围第1 项之方法,其中该基材系选自完全或路分由(a)包含 矽、多晶矽、锗,III-V材料及II-VI材料之半导体晶 圆及之件,(b)氧化物,(c)氮化物,(d)氧氮化物,(e)电介 质材料,(f)金属及金属合金,(g)陶瓷装置,(h)光罩,(i) 液晶及平板显示器,(j)印刷电路板,(k)磁性读/写头, 以及(l)薄膜头组成的族群。8.如申请专利范围第1 项之方法,其中电浆灰化处理系于室温与350℃之间 温度进行。9.如申请专利范围第1项之方法,其中该 处理系于向下流动、直桶式、下游或直接灰化装 置进行。10.如申请专利范围第1项之方法,进一步 包含: 形成电浆前,将基材置于一反应腔室; 将不含卤素且不含烃之反应气体导入该反应腔室 内; (a)由该反应气体形成电浆;以及 (b)让电浆冲击基材表面。
地址 美国