| 主权项 |
1.一种BaTiO3型半导性陶瓷材料,其已在还原气氛中 进行烧,并再氧化之,其中该陶瓷材料烧结后之 相对密度为85-90%。2.根据申请专利范围第1项之半 导性陶瓷材料,其中构成申请专利范围第1项之半 导性陶瓷材料的基质颗粒大小为0.5-2微米。3.一种 用以制造BaTiO3型半导性陶瓷材料的方法,其包括在 还原气氛中烧该陶瓷材料,并再氧化该陶瓷材料 ,其中在低于该陶瓷材料烧结完全温度25℃以上之 温度下烧该陶瓷材料。4.根据申请专利范围第3 项之BaTiO3型半导性陶瓷材料之制造方法,其中在1, 250℃以下烧烧结完全温度为1,275℃以上之BaTiO3 型半导性陶瓷材料。5.一种热敏电阻,其包括一种 层压制件,其中交错层压申请专利范围第1或2项所 述之半导性陶瓷材料与一种电极。图式简单说明: 图1系本发明整体PTC热敏电阻之具体实例示意图。 |
