发明名称 用于制备半导体之热处理装置
摘要 本发明系有关于一种具有一加热器的制备半导体加热装置,该装置具有热阻绝装置用以防止加热器之内部温度降低,其中该热阻绝装置具有一密封盒,数个水平地配置在盒中的反射板,以及数个用以支撑及固定反射板的支撑插销,俾使由于装载晶圆蒸发盘所造成的热损失致使加热器的内部温度降低已藉由具有反射板的热阻绝装置减至最小,俾能够使在装载晶圆蒸发盘后与操作加工过程之前期间加热器之内部的温度稳定,并且缩短加工过程的总时间从而改善生产率使晶圆的品质均匀。
申请公布号 TW481676 申请公布日期 2002.04.01
申请号 TW089125474 申请日期 2000.11.30
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 安在赫;杨昌集;金泰撤;汉贤
分类号 C21D1/06;C21D1/74 主分类号 C21D1/06
代理机构 代理人 恽轶群 台北巿南京东路三段二四八号七楼;陈文郎 台北巿南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种具有一加热器的制备半导体加热装置,该装 置具有热阻绝装置用以防止加热器之内部温度降 低,其中该热阻绝装置具有一密封盒,数个水平地 配置在盒中的反射板,以及数个用以支撑及固定反 射板的支撑插销。2.如申请专利范围第1项之装置, 其中该支撑插销包括数个外部支撑插销安装在反 射板的边缘,以及数个内部支撑插销安装在反射板 之中。3.如申请专利范围第1项之装置,其中该隔片 系水平地安装在盒中。4.如申请专利范围第1项之 装置,其中该盒之内部分系保持真空。图式简单说 明: 第1图系为一横截面图,用以图示一传统的制备半 导体加热装置; 第2图系为一横截面图,用以图示一本发明之制备 半导体加热装置; 第3图系为一垂直的横截面图,用以图示本发明之 一重要的部分; 第4图系为一水平的横截面图,用以图示本发明之 一重要的部分。
地址 韩国