发明名称 | 半导体器件制造设备和半导体器件制造方法 | ||
摘要 | 一种利用热CVD反应在一个基片上淀积一层薄膜的半导体器件制造设备,其包括一个具有一个与基片或沉积于其上的薄膜相接触的电极端子的圆环,一个向该圆环的此电极端子加载电流或电势的电源,及一个用于上下移动该圆环以使其电极端子与该基片或淀积于其上的薄膜保持或中断接触的活塞缸机构。 | ||
申请公布号 | CN1230015A | 申请公布日期 | 1999.09.29 |
申请号 | CN99103174.1 | 申请日期 | 1999.03.24 |
申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 上野和良 |
分类号 | H01L21/3205;H01L21/283;H01L21/205;C23C16/00 | 主分类号 | H01L21/3205 |
代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;余朦 |
主权项 | 1.一种利用热CVD反应在基片上淀积薄膜的半导体器件制造设备,其特征在于所述设备具有一个向所述基片或淀积于其上的所述薄膜提供电流的电源装置。 | ||
地址 | 日本东京 |