垂直型金属绝缘体半导体场效应晶体管及其制造方法

摘要

具有沟槽结构的垂直型MISFET提高了抗压力特性而没有增加其导通电阻。在垂直型MISFET中,p型基区形成得比沟槽深,直接在沟槽下面形成n型半导体区。该区与n型外延层相邻并且杂质浓度比n型半导体衬底的高。

主权项

1、一种垂直型MISFET，具有以下结构：第二导电型基区形成在形成漏区的第一导电型半导体衬底中，栅极通过栅绝缘膜形成在在所述基区中形成的沟槽中，第一导电型源区形成在围绕所述沟槽的所述基区中，其特征在于：所述基区形成得比所述沟槽深；和直接在所述沟槽下面形成第一导电型半导体区，其杂质浓度比所述第一导电型半导体衬底高。