IMPROVED METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING THE CONCENTRATION OF IONS IMPLANTED IN SEMICONDUCTOR MATERIALS,申请号EP19980932942-传众专利搜索

发明名称	IMPROVED METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING THE CONCENTRATION OF IONS IMPLANTED IN SEMICONDUCTOR MATERIALS
摘要
申请公布号	EP0944810(A1)	申请公布日期	1999.09.29
申请号	EP19980932942	申请日期	1998.06.26
申请人	KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.	发明人	BANET, MATTHEW, J.;ROGERS, JOHN, A.;FUCHS, MARTIN
分类号	G01N21/00;G01N21/17;G01N21/41;G01N21/47;(IPC1-7):G01B9/02	主分类号	G01N21/00
代理机构		代理人
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