一种可靠性提高的E<SUP>2</SUP>PROM集成电路

摘要

一种E²PROM集成电路,它包括半导体衬底、位于衬底上的E²PROM存储单元阵列、覆盖在所述存储单元阵列上的介质层,其中所述E²PROM集成电路还包括覆盖需要保护的E²PROM存储单元阵列至少一部分以屏蔽外来电场干扰的附加金属膜,所述金属膜位于介质层上并与衬底在电气上相连。所述附加金属膜的形状可以是片状、网状或丝状。所述附加金属膜是在所述介质层上形成上层金属互连的同时形成的。

主权项

1．一种E2PROM集成电路，它包括半导体衬底、位于衬底上的E2PROM存储单元阵列、覆盖在所述存储单元阵列上的介质层，其特征在于所述E2PROM集成电路还包括覆盖E2PROM存储单元阵列的至少一部分以屏蔽外来电场干扰的附加金属膜，所述金属膜位于介质层上并与衬底在电气上相连。