| 发明名称 | 用易处理的硬掩模制作沟槽式电容器 | ||
| 摘要 | 一种用BSG在半导体衬底上形成沟槽的改进方法,包括:(a)提供半导体衬底;(b)在该衬底上施加硼硅(酸盐)玻璃(BSG)的共形层;(c)在BSG层上形成已制作图形的光致抗蚀层,暴露光致抗蚀层下面的部分底层;(d)穿透所述底层的暴露部分和光致抗蚀层与半导体衬底之间的所有其它各层进行各向异性蚀刻并进入半导体衬底,由此在半导体衬底上形成沟槽。 | ||
| 申请公布号 | CN1230018A | 申请公布日期 | 1999.09.29 |
| 申请号 | CN99101258.5 | 申请日期 | 1999.01.26 |
| 申请人 | 国际商业机器公司;西门子公司;株式会社东芝 | 发明人 | 马西斯·伊尔格;理查德·L·克莱纳;滩原壮一;罗纳德·W·努内兹;克劳斯·彭纳;克劳斯·罗特纳;拉西卡·斯里尼瓦桑;杉本茂树 |
| 分类号 | H01L21/70;H01L21/31;H01L21/3065 | 主分类号 | H01L21/70 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1．一种在半导体衬底上形成沟槽的方法，该方法包括：(a)提供半导体材料衬底；(b)在该衬底上施加硼硅(酸盐)玻璃(BSG)的共形层；(c)在BSG层上形成已制作图形的光致抗蚀层，暴露光致抗蚀层下面的部分底层；(d)穿透所述底层的暴露部分和所述光致抗蚀层与半导体衬底之间的所有其它各层进行各向异性蚀刻并进入半导体衬底，由此在半导体衬底上形成沟槽。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||