半导体装置的制造方法和半导体装置

摘要

在背面具有散热用金属层的半导体装置,减少图形化工序,使激光熔断部位的形状良好且可防止第1和第2金属层间的剥离。第1,采用不用掩模对准的光刻胶的整个面的曝光工序可以减少图形化工序;第2,用低熔点的第1金属层和高熔点的第2金属层形成连接半导体装置间的金属层,并从第1金属层一侧开始顺次熔断第1金属层和第2金属层可以得到良好的外观形状;第3,采用防止第2金属层的电镀工序中的电镀供电层氧化,可以防止第2金属层的剥离。

主权项

1、半导体装置的制造方法，在半导体衬底的表面上形成第1隔离沟和覆盖该第1隔离沟的第1金属层，从背面使该半导体衬底薄膜化之后，在该第1隔离沟的背面形成使该第1金属层露出的第2隔离沟和覆盖该第2隔离沟表面的第2金属层，从该第1金属层一侧，用激光熔断该第1金属层和该第2金属层，该制造方法的特征是：以在除去上述半导体衬底背面的上述第1隔离沟的背面的区域上形成的上述散热用金属层为掩模，刻蚀上述半导体衬底，直到使上述第1金属层露了出来为止，形成上述第2隔离沟，上述第1金属层和上述第2金属层对上述激光的反射率低于80％。