发明名称 Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit ebener Oberfläche
摘要
申请公布号 DE69418302(T2) 申请公布日期 1999.09.30
申请号 DE1994618302T 申请日期 1994.09.23
申请人 MITSUBISHI DENKI K.K., TOKIO/TOKYO 发明人 HAYASHIDE, YOSHIO
分类号 H01L21/3205;H01L21/304;H01L21/306;H01L21/3105;H01L21/768;H01L23/52;(IPC1-7):H01L21/304;H01L21/76 主分类号 H01L21/3205
代理机构 代理人
主权项
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