发明名称 | 具有并联的高通信号通路和低通信号通路的半导体移相器 | ||
摘要 | 一种半导体移相器,高通信号通路和低通信号通路并联连接在输入端(IN)和输出端(OUT)之间。至少一个第一场效应晶体管(3a,3b)连接在第一和第二传输线之间,至少两个第三传输线(2a,2b,2c)每一个均与第一场效应晶体管和地端相连。至少一个第六传输线(6a,6b)连接在第四和第五传输线之间,并且至少两个第二场效应晶体管(7a,7b,7c)每一个均与第六传输线和地端相连。每个第三和第六传输线均作为电感器。 | ||
申请公布号 | CN1230049A | 申请公布日期 | 1999.09.29 |
申请号 | CN98126503.0 | 申请日期 | 1998.12.28 |
申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 水谷浩 |
分类号 | H03H7/18 | 主分类号 | H03H7/18 |
代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏 |
主权项 | 1.一种半导体移相器,包含:一个输入端(IN);一个输出端(OUT);和一个高通信号通路和一个低通信号通路,并联在所述的输入端和所述的输出端之间,所述的高通信号通路包含:一个第一传输线(1a),与所述的输入端连接,具有(2n1+1)λ/4,(n1=0,1,2,…)的有效长度,其中λ是传输信号的波长;一个第二传输线(1b),与所述的输出端连接,具有(2n2+1)λ/4,(n2=0,1,2,…)的有效长度;至少一个第一场效应晶体管(3a,3b),连接在所述的第一和第二传输线之间;和至少两个第三传输线(2a,2b,2c),每个均与所述的场效应晶体管和地端相连,所述的第三传输线均作为电感器,所述的低通信号通路包含:一个第四传输线(5a),与所述的输入端连接,具有(2n3+1)λ/4,(n3=0,1,2,…)的有效长度;一个第五传输线(5b),与所述的输出端连接,具有(2n4+1)λ/4,(n4=0,1,2,…)的有效长度;至少一个第六传输线(6a,6b),连接在所述的第四和第五传输线之间,所述的第六传输线作为电感器;和至少两个场效应晶体管(7a,7b,7c),每个均与所述的第六传输线和地端相连。 | ||
地址 | 日本东京 |