绝缘栅型半导体器件及其制造方法

摘要

一外延层的初始层形成于一n⁺型半导体基片上,其中一基片表面的结晶面为(100)面,并且其取向面的结晶面为{100}面。然后,通过热氧化在该初始层表面上形成硅氧化膜,并且通过CVD工艺在该硅氧化膜上形成氮化膜,然后有选择地进行干法蚀刻以形成具有初始槽的n^-型外延层。接着,用氮化膜作为掩模,对该槽的内表面进行氧化,并且结果形成氧化膜,则初始槽变为U形槽。通过对该U形槽的形状和结晶面进行优化,则可以减少该电子性能缺陷,并减小导通电阻。

主权项

1.一种绝缘栅型半导体器件，其中包括：一半导体，其表面上形成有∪形槽，所述∪形槽带有曲率半径为0.2-0.7μm的槽肩；位于所述∪形槽和所述槽肩内表面上的栅氧化膜；以及形成于所述栅氧化膜上的栅极。