| 主权项 |
1.一种清洁半导体制造设备之部件(parts)的程序,包含下列步骤:决定清洁部件的一定义,该定义包含多种不纯物的最大可接受浓度;测定该部件在清洁之前的多种不纯物的一初始浓度;决定实施于该部件的一清洁程序;实施该清洁程序于该部件,其中该清洁程序使得该部件产生多种减量的不纯物浓度,且该多种减量的不纯物浓度低于该多种不纯物的初始浓度;测定该多种减量的不纯物浓度;比较该多种减量的不纯物浓度及该定义中该多种最大可接受的不纯物浓度;及当该多种减量的不纯物浓度不符合该多种不纯物的最大可接受浓度,则重复实施该清洁程序于该部件。2.如申请专利范围第1项所述的程序,进一步包含:测试处于一重新组装设备中的该部件,该部件被设计为操作该设备。3.如申请专利范围第2项所述的程序,进一步包含下列步骤:当该部件在该重新组装设备中无法正常运作时,重复实施一清洁程序于该部件。4.如申请专利范围第1项所述的程序,利用一表面粒子测试(a surface particle test),决定至少一种不纯物浓度。5.如申请专利范围第1项所述的程序,利用一液体中的粒子测试(a liquid particletest),决定至少一种不纯物的浓度。6.一种稀释水溶液,用于清洁部件,该水溶液成份包含:氢氟酸(HF),重量百分比为0.5-1.5%;硝酸(HNO3),重量百分比为0.1-0.5%;过氧化氢(H2O2),重量百分比为1-10%。7.如申请专利范围第6项所述的稀释水溶液,其中过氧化氢的浓度不大于重量百分比5%。8.一种减轻一部件的次表面(sub-surface)损坏的方法,包含下列步骤:决定位于一部件表面下方的一深度,该深度为次表面损坏与该部件之表面间的距离;实施一化学蚀刻于该部件的表面;及当该化学蚀刻大约达到该深度,停止该化学蚀刻。9.一种清理一部件的方法,包含下列步骤:于需要清洁的一部件之一表面,实施一超音波清洁程序;以稀释的化学混合物喷洒并漂净(spray rising)该部件;及以去离子水喷洒并漂净该部件。10.如申请专利范围第9项所述的方法,进一步包含:依该部件所需的洁净程度,重复以稀释的化学混合物喷洒并漂净该部件,及以去离子水喷洒并漂净该部件的步骤。11.一种测量一污染物的方法,污染物位于含有一内表面且可开启之一部件中,包含下步骤:将一部件引入一洁净环境,该环境至少为1000级(class1000);在该洁净环境中开启该部件;以及于该部件的内表面上施行一污染物分析。12.如申请专利范围第11项所述的方法,其中施行该污染物分析包含下列步骤:通入一已知体积的超洁净水(ultra pure wate)于该部件的一腔体,抽出该水,并且分析该水中的污染物。13.如申请专利范围第11项所述的方法,其中施行该污染物分析包含下列步骤:通入一已知体积的高纯度萃取液于该部件的一腔体,抽出该萃取液,并且分析该萃取液中的污染物。14.一种清洁陶瓷部件的方法,包含下列步骤:将一陶瓷部件浸于一第一化学浴(chemical bath)中,破坏一污染物的键结;破坏该污染物键结后,将陶瓷部件在置于一火炉中并加热:以及将该陶瓷部件浸于一第二化学浴中,移除该污染物。15.如申请专利范围第14项所述的方法,其中该第一化学浴为稀释的化学浴,成份包含氢氟酸及硝酸,并加热至摄氏60到80度间。16.一种清洁一纹理石英部件(textured quartz part)的方法,包含下列步骤:将一纹理石英部件浸入一超音波化学浴;将该石音纹理部件浸入一超音波水浴;以及将该纹理石英部件浸入一去离子水浴。17.一种清除纹理陶瓷表面(textured ceramic surface)上之金属不纯物的方法,包含下列步骤:将含有纹理表面的一陶瓷部件浸入一加热的化学浴;在去离子水中漂净该部件;将该部件浸入一稀释的酸浴并漂净(rinsing);目视检查该部件;以及重复将该部件浸入该稀释酸浴中,直到该部件通过目视检查。18.如申请专利范围第17项的方法,进一步包含下列步骤:将该部件浸入一超音波溢流浴 (ultrasonificationoverflowing bath)。图式简单说明:图1A为清洁半导体制程设备部件之一般清洁程序方针的流程图。图1B揭露本发明之一较佳实施例中,清洁半导体制程设备部件的流程图,如清洁高纯度石英。图2揭露本发明之另一较佳实施例中,清洁高纯度石英步骤的流程图。图3揭露本发明之一较佳实施例中,在一全新或清洁部件上,实施表面粒子测试(surface particle testprocess)以测量不纯物浓度的流程图。图4揭露本发明的一较佳实施例中,在一全新或清洁部件上,实施液体粒子测试(liquid particle testprocess)之流程图。图5揭露本发明之一较佳实施例中,实施酸萃取/感应耦合电浆质谱分析技术于一全新或清洁部件之流程图。图6揭露本发明的清洁程序600,从高纯度陶瓷圆顶移除有机聚合物及金属不纯物的流程图。图7揭露本发明的清洁程序700,从高纯度纹理石英表面(textured high purity quartz surface)移除污染粒子的流程图。图8揭露本发明的清洁程序800,从高纯度纹理陶瓷表面(textured high purity ceramic surface,氧化铝含量大于99%),移除污染粒子及金属不纯物的流程图。 |
