| 主权项 |
1.一种于等离子体蚀刻反应器内蚀刻晶圆的方法,其系指导蚀刻以减少或消除「黑矽」之改良,包括:a)提供一个含有局限蚀刻处理室内壁的等离子体蚀刻反应器;b)提供一个远离蚀刻反应室并与之联系,以供应等离子体给蚀刻反应器的等离子体源反应室,以及一个暴露于蚀刻反应室以容纳晶圆的晶圆夹头或保温台座;c)于晶圆邻近与周围附近,提供一介电质内壁;d)藉由将导体组件插入自给偏压(Vdc)平面外形边界关系对介电质内壁组件与晶圆的延伸,或替换介电内壁,提供较低之高频施加电极的修正;e)于等离子体源反应室中形成等离子体,并供应等离子体给蚀刻反应室;以及f)供应高频能量给晶圆夹头,藉由在晶圆的上表面与蚀刻反应室的内壁之间形成电场,帮助晶圆蚀刻,以提供超过而成为散焦关系之自给偏压(Vdc)平面外形边界的延伸给晶圆边缘,减少光罩腐蚀并消除「黑矽」形成的发生。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该导体组件插入自给偏压(Vdc)平面外形边界关系对介电内壁组件的延伸,组件是矽晶,而介电质内壁是石英。3.如申请专利范围第2项之方法,其中导体组件是以内壁形式,采邻近关系插入石英内壁的矽晶。4.如申请专利范围第2项之方法,其中矽晶是采圆盘形式,并对该晶圆以分隔关系放在石英内壁下方。5.如申请专利范围第2项之方法,其中该矽晶对晶圆以搭接与分隔关系放在石英内壁的下方。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该导体组件取代介电质内壁。7.一种用以蚀刻晶圆等离子的等离子体蚀刻装置,包括一个具有支持蚀刻晶圆之上表面的夹头,在蚀刻期间减少或消除「黑矽」的改良包括:对较低之高频施加电极形状的修正包括一个导体组件,该组件插入介电质内壁组件与晶圆自给偏压(Vdc)平面外形边界关系之延伸,或者是取代放在晶圆周围的介电质组件。8.如申请专利范围第7项之装置,其中该导体组件是矽晶,而介电质组件是石英。9.如申请专利范围第8项之装置,其中导体组件是以内壁形式,对石英采邻近关系放置的矽晶。10.如申请专利范围第8项之装置,其中矽晶是采圆盘形式,并对该晶圆以分隔关系放在石英组件下方。11.如申请专利范围第8项之装置,其中该矽晶组件对晶圆以搭接与分隔关系放在石英组件的下方。12.如申请专利范围第8项之装置,其中该导体组件取代介电质组件。图式简单说明:图1是一未经修正,具有聚焦外形之电极组态的先前技艺的概图,显示在深沟槽(DT)蚀刻中引起黑矽之蚀刻反应器里的典型较低电极组合。图2显示本发明电极组态的概图,其中石英聚焦环藉由加入一个以晶圆同样的材料制成的矽晶圆盘来修正,与用来平坦化晶圆周围的自给偏压(Vdc)外形边界以有效地散焦离子,以及延伸平面的自给偏压(Vdc)外形边界到超过晶圆边缘,使离子现在正向于晶圆表面,以提供晶圆边缘上光罩腐蚀的减少,并于整个深沟槽(DT)蚀刻过程中,防护矽晶表面以免曝光于等离子体。图3是一概图,显示在石英聚焦环方面,本发明之修正是在石英聚焦环的基部上使用矽晶环。图4是一显示本发明之另一具体实施例的概图,其中石英聚焦环藉由一个以搭接型组态放在石英聚焦环下方的矽晶环来修正。图5是一本发明之修正的概图,其中矽晶聚焦环被用来取代石英聚焦环。 |
