| 主权项 |
1.一种高分子基电路保护装置,包括:一下方电极;一具有PTC特性之导电性复合材料元件之第一部分与一具有PTC特性之导电性复合材料元件之第二部分,该具有PTC特性之导电性复合材料元件之第一部分与该具有PTC特性之导电性复合材料元件之第二部分,分别设于该下方电极之上;一上方电极第一部份,设于该具有PTC特性之导电性复合材料元件之第一部分之上;一上方电极第二部份,设于该具有PTC特性之导电性复合材料元件之第二部分之上;一绝缘阻绝层,设于该具有PTC特性之导电性复合材料元件之第一部分与该具有PTC特性之导电性复合材料元件之第二部分之间,以及该上方电极第一部份与该上方电极第二部份之间;藉由该绝缘阻绝层,阻绝使该具有PTC特性之导电性复合材料元件之第一部分与该具有PTC特性之导电性复合材料元件之第二部分的直接接触,以及该上方电极第一部份与该上方电极第二部份的直接接触。2.如申请专利范围第1项之高分子基电路保护装置,其中在该上方电极第一部份与该上方电极第二部份之上,更设有一绝缘层。3.如申请专利范围第1项之高分子基电路保护装置,其中在该上方电极第一部份与该上方电极第二部份之上,分别设有端电极。4.如申请专利范围第1项之高分子基电路保护装置,其中在该下方电极之下,更设有一绝缘补强层。5.如申请专利范围第1项之高分子基电路保护装置,其中该绝缘阻绝层,系为绝缘绿漆。6.如申请专利范围第1项之高分子基电路保护装置,其中该上方电极第一部份与该上方电极第二部份,系由铜箔、镍箔、白金、铜合金、镍合金与白金合金所组成之群组中,选自其中至少一种材料者。7.如申请专利范围第1项之高分子基电路保护装置,其中该具有PTC特性之导电性复合材料元件之第一部分与该具有PTC特性之导电性复合材料元件之第二部分,系为碳黑填充导电性高分子复合材料。8.如申请专利范围第7项之高分子基电路保护装置,其中该高分子材料,系为聚乙烯。9.如申请专利范围第7项之高分子基电路保护装置,其中该高分子材料,系选自由聚乙烯、聚丙烯、聚氟烯及其共聚合物所组成之群组中,选自其中至少一种材料者。10.如申请专利范围第2项之高分子基电路保护装置,其中该绝缘层,系为绝缘绿漆。11.如申请专利范围第4项之高分子基电路保护装置,其中该绝缘补强层,系环氧树脂含浸之玻璃纤维布所形成之积层材料。12.如申请专利范围第4项之高分子基电路保护装置,其中该绝缘补强层,系选自由环氧树脂层、聚醯亚胺树脂层、环氧树脂含浸之玻璃纤维布所形成之积层材料层,与聚醯亚胺含浸之玻璃纤维布所形成之积层材料层所组成之群组中,选自其中至少一种材料者。13.如申请专利范围第4项之高分子基电路保护装置,其中在该绝缘补强层下方,更设有一层金属箔层。14.如申请专利范围第13项之高分子基电路保护装置,其中在该金属箔层与该下方电极之间,设有镀通孔,使该金属箔层与该下方电极形成电导通。15.如申请专利范围第13项之高分子基电路保护装置,其中在该金属箔层下方,更设有一绝缘层。16.如申请专利范围第15项之高分子基电路保护装置,其中在该金属箔层下方,其中该绝缘层,系为绝缘绿漆。17.如申请专利范围第1项之高分子基电路保护装置,其中该下方电极与该具有PTC特性之导电性复合材料元件之第一部分,以及该具有PTC特性之导电性复合材料元件之第二部分接触之界面,系设有一层电镀层。18.如申请专利范围第17项之高分子基电路保护装置,其中该电镀层,系为一含有碳黑二次凝聚体之多孔性结构。19.如申请专利范围第1项之高分子基电路保护装置,其中该具有PTC特性之导电性复合材料元件之第一部分与该上方电极第一部份接触界面,以及该具有PTC特性之导电性复合材料元件之第二部分与该上方电极第二部份接触界面,更设有一电镀层。20.如申请专利范围第19项之高分子基电路保护装置,其中该电镀层,系为一含有碳黑二次凝聚体之多孔性结构。21.一种表面接着型高分子基电路保护装置之制法,包括:将一第一金属电极层、一具有PTC特性之第一复合材料层,以及一第二金属电极层等材料,依序排好后进行热压,制得一多层电路积层结构;对该多层电路积层结构进行切割,使该第二金属电极层,被切割为一第二电极、第三电极,而该第一复合材料层,被切割为第一复合材料元件,与第二复合材料元件;且该第二电极与该第三电极,以及该第一复合材料元件与该第二复合材料元件,系以一沟槽区隔;对该第二电极与该第三电极,分别设置端电极。22.如申请专利范围第21项之表面接着型高分子基电路保护装置之制法,其中更包括一对该沟槽填以绝缘材料之步骤。23.如申请专利范围第22项之表面接着型高分子基电路保护装置之制法,其中该沟槽之绝缘材料,系为绝缘绿漆。24.如申请专利范围第21项之表面接着型高分子基电路保护装置之制法,其中更包括一对该沟槽填以绝缘材料,并在该第二电极与该第三电极上设一绝缘层之步骤。25.如申请专利范围第21项之表面接着型高分子基电路保护装置之制法,其中在该第一金属电极层之下,更设有一绝缘补强层。26.如申请专利范围第25项之表面接着型高分子基电路保护装置之制法,其中该绝缘补强层,系环氧树脂含浸之玻璃纤维布所形成之积层材料。27.如申请专利范围第25项之表面接着型高分子基电路保护装置之制法,其中该绝缘补强层,系选自由环氧树脂层、聚醯亚胺树脂层、环氧树脂含浸之玻璃纤维布所形成之积层材料层,与聚醯亚胺含浸之玻璃纤维布所形成之积层材料层所组成之群组中,选自其中至少一种材料者。28.如申请专利范围第21项之表面接着型高分子基电路保护装置之制法,其中该第一金属电极层,系由铜箔、镍箔、白金、铜合金、镍合金与白金合金所组成之群组中,选自其中至少一种材料者。29.如申请专利范围第21项之表面接着型高分子基电路保护装置之制法,其中该第二金属电极层,系由铜箔、镍箔、白金、铜合金、镍合金与白金合金所组成之群组中,选自其中至少一种材料者。30.如申请专利范围第21项之表面接着型高分子基电路保护装置之制法,其中该具有PTC特性之第一复合材料层,系为碳黑填充导电性高分子复合材料。31.如申请专利范围第30项之表面接着型高分子基电路保护装置之制法,其中该高分子材料,系为聚乙烯。32.如申请专利范围第30项之表面接着型高分子基电路保护装置之制法,其中该高分子材料,系选自由聚乙烯、聚丙烯、聚氟烯及其共聚合物所组成之群组中,选自其中至少一种材料者。33.一种表面接着型高分子基电路保护装置,包括:一第一金属层,该第一金属层设有一第一表面和一第二表面;一具有PTC特性之第一复合材料元件,该第一复合材料元件具有一第一表面、一第二表面及一第三表面,且设该第一复合元件第一表面和第一金属层之第二表面构成电连接;一具有PTC特性之第二复合材料元件,该第二复合材料元件具有一第一表面、一第二表面及一第三表面,且设该第二复合元件第一表面和第一金属层之第二表面构成电连接;一第一电极;该第一电极设有一第一表面与一第二表面,且该第一电极第一表面与该第一复合材料元件第二表面,构成电连接;一第二电极;该第二电极设有一第一表面与一第二表面,且该第二电极第一表面与该第二复合材料元件第二表面,构成电连接;而该第一复合材料元件第三表面与该第二复合材料元件第三表面,并未直接接触。34.如申请专利范围第33项之表面接着型高分子基电路保护装置,其中该第一复合材料元件第三表面与该第二复合材料元件第三表面之间,更设有一第一绝缘层隔离。35.如申请专利范围第33项之表面接着型高分子基电路保护装置,其中该第一复合材料元件第三表面与该第二复合材料元件第三表面,分别与该第一绝缘层连接。36.如申请专利范围第33项之表面接着型高分子基电路保护装置,其中该第一电极第二表面上,设有第一端电极;而该第二电极第二表面,设有一第二端电极。37.如申请专利范围第33项之表面接着型高分子基电路保护装置,其中该第一金属层之下,更设有一绝缘补强层。38.如申请专利范围第34项之表面接着型高分子基电路保护装置,其中该绝缘层,系为绝缘绿漆。39.如申请专利范围第33项之表面接着型高分子基电路保护装置,其中该第一电极与该第二电极,系由铜箔、镍箔、白金、铜合金、镍合金与白金合金所组成之群组中,选自其中至少一种材料者。40.如申请专利范围第33项之表面接着型高分子基电路保护装置,其中该第一复合材料元件与该第二复合材料元件,系为碳黑填充导电性高分子复合材料。41.如申请专利范围第40项之表面接着型高分子基电路保护装置,其中该高分子材料,系为聚乙烯。42.如申请专利范围第40项之表面接着型高分子基电路保护装置,其中该高分子材料,系选自由聚乙烯、聚丙烯、聚氟烯及其共聚合物所组成之群组中,选自其中至少一种材料者。43.如申请专利范围第37项之表面接着型高分子基电路保护装置,其中该绝缘补强层,系环氧树脂含浸之玻璃纤维布所形成之积层材料。44.如申请专利范围第37项之表面接着型高分子基电路保护装置,其中该绝缘补强层,系选自由环氧树脂层、聚醯亚胺树脂层、环氧树脂含浸之玻璃纤维布所形成之积层材料层,与聚醯亚胺含浸之玻璃纤维布所形成之积层材料层所组成之群组中,选自其中至少一种材料者。45.如申请专利范围第37项之表面接着型高分子基电路保护装置,其中在该绝缘补强层下方,更设有一层金属箔层。46.如申请专利范围第45项之表面接着型高分子基电路保护装置,其中在该金属箔层与该第一金属层之间,设有镀通孔,使该金属箔层与该下方电极形成电导通。47.如申请专利范围第45项之表面接着型高分子基电路保护装置,其中在该金属箔层下方,更设有一绝缘层。48.如申请专利范围第47项之表面接着型高分子基电路保护装置,其中该绝缘层,系为绝缘绿漆。49.如申请专利范围第33项之表面接着型高分子基电路保护装置,其中该第一金属层与该第一复合材料元件,以及该第二复合材料元件接触之界面,系设有一层电镀层。50.如申请专利范围第49项之表面接着型高分子基电路保护装置,其中该电镀层,系为一含有碳黑二次凝聚体之多孔性结构。51.如申请专利范围第33项之表面接着型高分子基电路保护装置,其中该第一复合材料元件与该第一电极接触界面,以及该第二复合材料元件与该第二电极接触界面,更设有一电镀层。52.如申请专利范围第51项之表面接着型高分子基电路保护装置,其中该电镀层,系为一含有碳黑二次凝聚体之多孔性结构。53.如申请专利范围第37项之表面接着型高分子基电路保护装置,其中该绝缘补强层下方,更设有一第二金属层。54.如申请专利范围第53项之表面接着型高分子基电路保护装置,其中该第二金属层系由铜箔、镍箔、白金、铜合金、镍合金与白金合金所组成之群组中,选自其中至少一种材料者。55.如申请专利范围第53项之表面接着型高分子基电路保护装置,其中该第二金属层下方,更设有一具有PTC特性之第三复合材料元件,以及一具有PTC特性之第四复合材料元件。56.如申请专利范围第55项之表面接着型高分子基电路保护装置,其中该第三复合材料元件与该第四复合材料元件,系为碳黑填充导电性高分子复合材料。57.如申请专利范围第56项之表面接着型高分子基电路保护装置,其中该高分子材料,系为聚乙烯。58.如申请专利范围第56项之表面接着型高分子基电路保护装置,其中该高分子材料,系选自由聚乙烯、聚丙烯、聚氟烯及其共聚合物所组成之群组中,选自其中至少一种材料者。59.如申请专利范围第55项之表面接着型高分子基电路保护装置,其中该第三复合材料元件与该第四复合材料元件之间,设有第二绝缘层隔离。60.如申请专利范围第55项之表面接着型高分子基电路保护装置,其中该第三复合材料元件下方,设有一第三电极;而该第四复合材料元件下方,设有一第四电极。61.如申请专利范围第60项之表面接着型高分子基电路保护装置,其中该第一电极第二表面上,设有第一端电极;该第二电极第二表面,设有一第二端电极;该第三电极下方一端,设有一第三端电极;而该第四电极下方一端,设有一第四端电极。62.如申请专利范围第61项之表面接着型高分子基电路保护装置,其中该第一端电极与该第三端电极之间,设有一第一镀通孔,使第一端电极与第三端电极为电导通;而该第二端电极与该第四端电极之间,设有一第二镀通孔,使第二端电极与第四端电极为电导通。63.如申请专利范围第61项之表面接着型高分子基电路保护装置,其中更设有一第一外侧端电极将该第一端电极与该第三端电极导通,以及设一第二外侧端电极该第二端电极与该第四端电极导通。64.如申请专利范围第53项之表面接着型高分子基电路保护装置,其中该第一金属层、该绝缘补强层与该第二金属层,系由一双面金属箔基板所构成。65.一种高分子基电路保护装置之制法,包括:提供一具有第一金属层、一第二金属层及一绝缘补强层之双面金属箔基板;对该双面金属箔基板之该第一金属层与该第二金属层进行加工,去除该第一金属层与该第二金属层两端之一部份;对该第一金属层表面与该第二金属层表面,进行复合电度,将碳黑电镀至该第一金属层表面与该第二金属层表面上,分别形成一第一复合电镀层与一第二复合电镀层;使用碳黑填充导电性高分子复合材料,对该第一复合电镀层与该第二复合电镀层,进行热压,使该第一金属层上方,覆盖一第一碳黑填充导电性高分子复合材料层,该第二金属层下方,覆盖一第二碳黑填充导电性高分子复合材料层,而制得一多层电路积层结构;在该第一碳黑填充导电性高分子复合材料层上方,设置一上方电极层,并在该第二碳黑填充导电性高分子复合材料层下方,设置一下方电极层;对该上方电极、该第一碳黑填充导电性高分子复合材料层、该下方电极以及该第二碳黑填充导电性高分子复合材料层进行切割,使该上方电极分为一第一电极、一第二电极;该第一碳黑填充导电性高分子复合材料层区分为一第一复合材料元件、一第二复合材料元件,并得到一第一沟槽;并使该下方电极区分为一第三电极、一第四电极;该第二碳黑填充导电性高分子复合材料层,区分为一第三复合材料元件、一第四复合材料元件,得到一第二沟槽。66.如申请专利范围第65项之高分子基电路保护装置之制法,其中在对该第一复合电镀层与该第二复合电镀层,进行热压后制得之该多层电路积层结构,更包括一使用钴60辐射线,对该第一碳黑填充导电性高分子复合材料层,与第二碳黑填充导电性高分子复合材料层进行照射处理之步骤,让该第一碳黑填充导电性高分子复合材料层,与第二碳黑填充导电性高分子复合材料层具有形状记忆性。67.如申请专利范围第65项之高分子基电路保护装置之制法,其中更包括一对该第一沟槽与该第二沟槽填以绝缘材料之步骤。68.如申请专利范围第67项之高分子基电路保护装置之制法,其中该沟槽之绝缘材料,系为绝缘绿漆。69.如申请专利范围第65项之高分子基电路保护装置之制法,其中更包括一对该第一沟槽与第二沟槽填以绝缘材料,并在该第一电极与该第二电极上设一第一绝缘层、在该第三电极与该第四电极下设一第二绝缘层之步骤。70.如申请专利范围第65项之高分子基电路保护装置之制法,其中该高分子材料,系为聚乙烯。71.如申请专利范围第70项之高分子基电路保护装置之制法,其中该高分子材料,系选自由聚乙烯、聚丙烯、聚氟烯及其共聚合物所组成之群组中,选自其中至少一种材料者。72.如申请专利范围第65项之高分子基电路保护装置之制法,其中更包括在该第一电极上设一第一端电极、该第二电极上设第二端电极、该第三电极下设第三端电极,以及在该第四电极下设第四端电极之步骤。73.如申请专利范围第72项之高分子基电路保护装置之制法,其中更包括在该第一电极与该第三电极间设一镀通孔,及在该第二电极与该第四电极间设镀通孔之步骤。74.如申请专利范围第65项之高分子基电路保护装置之制法,其中该第一复合电镀层与该第二复合电镀层,系包括金属与碳黑二次凝聚体。75.如申请专利范围第74项之高分子基电路保护装置之制法,其中该第一复合电镀层之厚度与该第二复合电镀层之厚度,在0.2微米以上。图式简单说明:第一图为一先前技艺之说明示意图;第二图为另一先前技艺之说明示意图;第三图为为本发明第一实施例之基础结构说明图;第四图为本发明第一实施例的电路保护装置之铜镀镍箔剖面图;第五图为本发明第一实施例的电路保护装置之多层电路积层结构剖面图;第六图为本发明第一实施例的电路保护装置之一制作过程剖面图;第七图为本发明第一实施例的电路保护装置之另一制作过程剖面图;第八图为本发明第一实施例之电路保护装置;第九图为本发明第二实施例之双面金属箔基板材料剖面图;第十图为本发明第二实施例之金属铜箔剖面图;第十一图为本发明第二实施例之多层电路积层结构剖面图;第十二图为本发明第二实施例之电路保护装置剖面图;第十三图为本发明第三实施例之双面金属箔基板材料剖面图;第十四图为本发明第三实施例之双面金属箔基板材料之一制作程剖面图;第十五图为本发明第三实施例之多层电路积层结构剖面图;第十六图为本发明第三实施例的电路保护装置之一制作过程剖面图;第十七图为本发明第三实施例的电路保护装置之再一制作过程剖面图;第十八图为本发明第三实施例的电路保护装置之又一制作过程剖面图;第十九图为本发明第三实施例的电路保护装置。 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