| 摘要 |
本发明提供一种薄型且小型的半导体装置。先准备矽晶圆，在矽晶圆的主面及背面形成氧化膜，在矽晶圆的主面选择性形成绝缘膜并形成复数个通孔，在通孔底的上述氧化膜上形成金属积层膜，同时，在此金属积层膜上形成第1金属膜及第2金属膜，藉此形成金属台座。然后，在金属台座中的一个金属台座的主面，经由一方的电极固定形成有二极体的半导体晶片，以导电性的导线连接另一方的电极与其他金属台座。接着，以绝缘性树脂层覆盖半导体晶片或导线等，留下接合在密封体背面的氧化膜，去除矽晶圆或氧化膜，藉由蚀刻去除树脂层背面的氧化膜，在露出于树脂层背面的金属台座表面形成金属电镀膜，纵横切断上述树脂层，形成半导体装置。 |
