发明名称 FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD
摘要
申请公布号 JPH11265896(A) 申请公布日期 1999.09.28
申请号 JP19980065847 申请日期 1998.03.16
申请人 TOSHIBA CORP 发明人 MIHARA MASAKATSU;TAKADA KENJI;NISHIBORI KAZUYA;KITAURA YOSHIAKI
分类号 H01L21/265;H01L21/338;H01L29/47;H01L29/812;H01L29/872;(IPC1-7):H01L21/338 主分类号 H01L21/265
代理机构 代理人
主权项
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