| 摘要 |
本发明系以：将支持于高刚性的支持基板上之半导体晶圆或半导体晶片进行研磨而制造半导体晶片之情形下，可使半导体晶圆或半导体晶片毫无损伤地从支持基板上卸下，做为技术课题。本发明在解决手段上，系介由受光时黏着力会降低的黏着层10、将半导体晶圆W1之表面黏贴在透光的支持基板11上、而使半导体晶圆W1的里面露出；将与支持基板11成一体之半导体晶圆W1的里面进行研磨，将胶带40黏贴在与研磨后的支持基板11为一体之半导体晶圆W1的里面，同时以框架支持该胶带40的外周；在该胶带40之黏贴之前或之后，将光从支持基板11对黏着层10照射、而使黏着层10之黏着力降低；其后，将该支持基板11及黏着层10从半导体晶圆W1的表面卸下，而将半导体晶圆W1支持于胶带40及框架上；将支持于胶带40及框架上之半导体晶圆W1之间道切断、而分割成个个之半导体晶片。 |
