| 摘要 |
<p>본 발명의 반도체 기억장치는, 복수의 워드선; 복수의 드라이브선; 행 어드레스에 따라 상기 복수의 워드선중 하나를 활성화하기 위한 워드선 구동회로; 열 어드레스에 따라, 상기 활성화된 워드선에 결합된 복수의 강유전체 메모리셀중 하나를 선택하는 열선택부; 상기 활성화된 워드선과 조합되어 있는, 상기 복수의 드라이브선중 적어도 하나의 선택된 드라이브선에 플레이트 구동신호를 인가하기 위한 플레이트 구동신호 인가부; 및 상기 적어도 하나의 선택된 드라이브선에 또는 이로부터 복수의 강유전체 메모리셀을 결합 또는 분리하기 위한 스위칭부;를 포함한다. 상기 열 선택부는 스위칭부를 제어하여, 오직 하나의 선택된 강유전체 메모리셀만 상기 적어도 하나의 선택된 드라이브선에 결합되도록 한다.</p> |
