NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

摘要

센스 앰프에 인가하는 신호의 인가 방법을 개량함으로써, 불휘발성 반도체 메모리 셀에 기록된 데이타를 고속 판독한다. 데이타가 기억되는 불휘발성 반도체 메모리 셀(1, 2…)과, 이 불휘발성 반도체 메모리 셀(1, 2…)의 I/O 라인(10)에 접속되고, 센스 신호에 따라서 충방전되는 컨덴서(23)와, 상기 I/O 라인(10)을 센스하는 센스 회로(래치 회로 25)를 구비하는 것을 특징으로 한다.