| 摘要 |
<p>본 발명의 반도체장치는 제 1 방향으로 서로 거의 평행하게 연장하는 복수의 퓨즈배선경로를 구비하며, 상기 퓨즈배선경로 각각은 퓨즈 소자를 갖는다. 정상 컬럼라인은 상기 제 1 방향에 거의 수직한 제 2 방향으로 연장하며, 데이터를 저장하는 정상 메모리셀에 대응한다. 상기 반도체 메모리장치는 제 2 방향으로 연장하는 용장 컬럼라인을 더 구비하며, 상기 용장 컬럼라인은 데이터를 저장하는 용장 메모리셀에 대응한다. 논리회로는 복수의 퓨즈배선경로상의 각 신호를 수신하여, 이들 신호에 따라 선택신호를 출력한다. 상기 반도체장치는 또한 논리회로와 정상 및 용장 컬럼라인 사이에 결합되는 스위칭회로를 또한 구비하며, 상기 스위칭회로는 어드레스신호와 선택신호를 수신하여, 상기 선택신호에 응답하여 상기 어드레스신호를 정상 컬럼라인 또는 용장 컬럼라인으로 선택적으로 전송한다.</p> |
