| 摘要 |
<p>플래시 EEPROM은 비휘발성 메모리 셀들 M10 내지 M17의 어레이를 구비하되, 이들 각각은 이중 게이트 구조의 셀 트랜지스터 Tr4와 상기 셀 트랜지스터 Tr4의 플로팅 게이트 FG를 위한 프로그램 영역 Pt을 갖는다. 상기 플래시 EEPROM은 바이트별로 각각에 대해 프로그래밍, 플래시 소거 및 판독 모드된다. 플래시 EEPROM은 셀 트랜지스터 Tr4 간의 교란을 억제하기 위해서 바이트로 선택된 셀 트랜지스터 Tr4의 소스, 드레인 및 제어 게이트 CG를 선택되지 않은 셀 트랜지스터 Tr4의 그것들로부터 분리하기 위한 제1 내지 제3 선택 트랜지스터 Tr1, Tr2, Tr3을 포함한다.</p> |
