| 发明名称 | 具有同心环形板阵列的用于深亚微型CMOS的多层电容器结构 | ||
| 摘要 | 一种电容器结构(20)包括第一和至少第二同心环形导线(22-25)的导体级(L1-L4)。所述第一和至少第二级的导线被排列成同心的环形堆叠体。介电材料(26-29)被设置在第一和第二导体级之间以及每个级的同心导线之间。至少一个导电通路(32)电连接每个堆叠体中的导线，借以形成电容器板的同心阵列。所述电容器板的同心阵列以交替的方式和相反极性的第一、第二端子电连接，从而在阵列的相邻的板之间产生电容。所述电容器结构尤其适用于深亚微CMOS。 | ||
| 申请公布号 | CN1194417C | 申请公布日期 | 2005.03.23 |
| 申请号 | CN01800767.8 | 申请日期 | 2001.03.28 |
| 申请人 | 皇家菲利浦电子有限公司 | 发明人 | V·瓦图尔亚;T·索拉蒂 |
| 分类号 | H01L29/92;H01L27/08 | 主分类号 | H01L29/92 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王岳;梁永 |
| 主权项 | 1.一种电容器(20)，包括：同心导线(22)的第一导体级(L1)；同心导线(23)的至少第二导体级(L2)，所述第一级和所述至少第二级(L1，L2)的导线(22，23)被设置成同心的堆叠体；被设置在所述第一和第二导体级(L1，L2)之间以及每个级(L1，L2)的同心导线(22，23)之间的介电材料(27，28)；多个电连接每个堆叠体中的导线(22，23)的导电通路(32)，借以形成同心的电容器极板(27A，27B)的阵列，每个导电通路(32)通过在第一和第二导体级(L1，L2)之间的介电材料(27)延伸；以及具有相反电极性的第一和第二端子(A，B)，其中同心的电容器极板(27A，27B)的阵列以交替的方式和相反极性的端子(A，B)电连接，从而在所述阵列的相邻的板之间产生电容。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||