| 发明名称 |
POWER SOURCE CIRCUIT FOR GENERATING POSITIVE AND NEGATIVE VOLTAGE SOURCES |
| 摘要 |
<p>플래시 메모리의 전원 회로는 정의 전원을 발생하기 위한 정의 전원부(14), 제1 전원의 임피던스를 전환하기 위한 소오스 폴로워 트랜지스터(15), 소오스 폴로워 트랜지스터(15)의 출력과 제1 기준 전위에서의 부의 전원 사이의 전압 차를 유지하면서 부의 전원을 발생하기 위한 부의 전원부(13)를 포함한다. 정의 전원부(14)는 소오스 폴로워 트랜지스터(TR2)의 임계치와 동일한 임계 전압을 갖는 전압 보상 트랜지스터(TR3)를 포함한다.</p> |
| 申请公布号 |
KR19990072379(A) |
申请公布日期 |
1999.09.27 |
| 申请号 |
KR19990003451 |
申请日期 |
1999.02.02 |
| 申请人 |
null, null |
发明人 |
가네꼬마사끼;고바따께히로유끼;아마나이마사까즈;가또가즈아끼;오꾸사또루 |
| 分类号 |
G11C16/06;G05F1/56;G11C16/30;H02M3/07 |
主分类号 |
G11C16/06 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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