| 摘要 |
<p>양호한 용량특성을 가지면서 양호한 리크특성을 유지하는 고유전율 산화막을 사용한 박막커패시터를 제공한다. 반도체기판 (101) 상에 적어도 하부전극층 (102), 고유전율 산화막층 (103), 상부전극층 (105) 이 이 순서로 형성되어 이루어지는 박막커패시터 (1) 로서, 상기 상부전극층 (105) 은 1 종의 반응성 이온에칭에 의해 가공가능한 도전성재료만으로 형성된 막층 (104) 혹은 적어도 2 종의 반응성 이온에칭에 의해 가공가능한 도전성재료가 각각 개별적으로 층상으로 형성된 복수의 막층 (107 과 108) 으로 형성된 것이고, 350 ℃ 의 열이력을 거친 후에 상기 박막커패시터 (1) 에 인가되는 구동전압이 0 V 에서 2 V 에 있어서의 상기 박막커패시터의 리크전류밀도특성이 1 × 10A/㎠ 이하인 박막커패시터 (1).</p> |
