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发明名称 PHOTORESIST FILM AND METHOD FOR FORMING PATTERN THEREFOR
摘要 <p>포토레지스트는 하부층, 중간층 및 상부층의 3층 구조이고, 상기 하부 및 상부층이 포토레지스트층이고, 하부층은 상부층이 감광되는 광보다 긴 파장을 가진 광에 감광되며, 상기 중간층은 하부 및 상부층들이 감광되는 광들에 하부층이 노광되지 않을 정도의 투과율을 가진 유기 물질로 형성된 차광막이다.</p>
申请公布号 KR19990072848(A) 申请公布日期 1999.09.27
申请号 KR19990005915 申请日期 1999.02.23
申请人 null, null 发明人 이나가쯔요시
分类号 G03F7/26;G03F7/095;G03F7/11;H01L21/027 主分类号 G03F7/26
代理机构 代理人
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