| 摘要 |
<p>소자 영역들(20)의 분리를 위해 아이솔레이션 트랜치(14)를 갖는 반도체 장치를 형성하는 방법은 실리콘 기판(11) 상에 패드 산화막(12) 및 실리콘 질화막(13)을 형성하는 단계, 실리콘 질화막을 마스크로 하여 아이솔레이션 트랜치(14)를 형성하는 단계, 아이솔레이션 트랜치(14) 내에 열 산화막(15), CVD 산화막(16) 및 바이어스 산화막(17)을 연속 형성하는 단계, 실리콘 기판(11)의 특정 높이 이상에 존재하는 막을 제거하고 아이솔레이션 트랜치(14) 내에 산화막(15, 16 및 17)을 남겨두는 단계를 포함한다. 바이어스 산화막(17)은 고밀도 플라즈마 CVD 기술에 의해 형성된다. 실리콘 표면은 고밀도 CVD 단계 중에 플라즈마 손상에 대해 CVD 산화막(16)에 의해 보호됨으로써, 우수한 트랜지스터 특성을 획득한다.</p> |
