| 摘要 |
<p>고체 이미지 센싱 장치에 있어서, 광전변환소자는 반도체기판상에 2차원 매트릭스형상으로 배열된다. 트랜스퍼 게이트부는 각 광전변환소자에 인접하여, 광전변환소자에 축적된 신호전하를 판독한다. 수직 CCD는 트랜스퍼 게이트부에 인접하여, 광전변환소자로부터 판독된 신호전하를 수직방향에 전송한다. 수평 CCD는 수직 CCD에서 전송된 신호전하를 수평방향에 전송한다. 전하검출부는 수평 CCD에서 전송된 신호전하를 검출하여 출력한다. 4 개의 수직 전송전극은 신호전하의 수직 방향의 상기 수직 CCD에 서로 인접하며 형성된다. 수직전송전극은 수직방향으로 서로 인접한 제 1 및 제 2 전송전극을 포함한다. 제 1 수직전송전극은 제 2 수직전송전극보다 긴 길이를 가지며, 트랜스퍼 게이트부의 제어를 겸한다. 이의 구동방법도 기재되어 있다.</p> |
