METHOD OF FABRICATING LIGHT EMITTING DIODES

摘要

본 발명의 발광다이오드의 제조방법은, n형 GaAs 기판의 표면이 (100)면으로부터 소정 각도 θ만큼 경사져 있을 때, 표면전극을, 층 두께 d로 형성한 전류확산층의 전류저지부를 반영한 표면형상부 위에, 상기 표면 형상부가 전류저지부로 부터 변위되어 있는 방향(El)과 반대의 방향(Fl)으로, 약(d/tanθ)만큼 변위되도록 형성한다. 이에 의해, 전류저지층의 바로 위에 정확히 표면전극을 형성할 수 있다.