发明名称 HIGH SPEED HIGH BANDWIDTH HIGH DENSITY NONVOLATILE MEMORY SYSTEM
摘要 <p>본 발명에서는 비휘발성(nonvolatile) 메모리 시스템이 기술된다. 본 발명의 비휘발성 메모리 시스템은 각각 한 쌍의 금속 플레이트들과 그들 사이에 끼워진 강유전성 물질을 구비한 강유전성 메모리 셀들을 포함한다. 주어진 셀 사이에 원하는 데이터 값에 대응하는 전계를 인가하고 그에 따라 강유전성 물질의 극성을 주어진 상태로 둠으로써 셀 내부에 데이터가 저장된다. 강유전성 물질에 기계적인 힘을 가하고 어느 한 셀에 유도된 전하를 감지함으로써 셀의 데이터가 판독된다.</p>
申请公布号 KR19990072332(A) 申请公布日期 1999.09.27
申请号 KR19990002940 申请日期 1999.01.29
申请人 null, null 发明人 보즈소페렌크미클로스;엠마필립조오지
分类号 G11C14/00;G11C11/22;H01L21/8242;H01L21/8246;H01L21/8247;H01L27/10;H01L27/105;H01L27/108;H01L29/788;H01L29/792 主分类号 G11C14/00
代理机构 代理人
主权项
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