发明名称 |
HIGH SPEED HIGH BANDWIDTH HIGH DENSITY NONVOLATILE MEMORY SYSTEM |
摘要 |
<p>본 발명에서는 비휘발성(nonvolatile) 메모리 시스템이 기술된다. 본 발명의 비휘발성 메모리 시스템은 각각 한 쌍의 금속 플레이트들과 그들 사이에 끼워진 강유전성 물질을 구비한 강유전성 메모리 셀들을 포함한다. 주어진 셀 사이에 원하는 데이터 값에 대응하는 전계를 인가하고 그에 따라 강유전성 물질의 극성을 주어진 상태로 둠으로써 셀 내부에 데이터가 저장된다. 강유전성 물질에 기계적인 힘을 가하고 어느 한 셀에 유도된 전하를 감지함으로써 셀의 데이터가 판독된다.</p> |
申请公布号 |
KR19990072332(A) |
申请公布日期 |
1999.09.27 |
申请号 |
KR19990002940 |
申请日期 |
1999.01.29 |
申请人 |
null, null |
发明人 |
보즈소페렌크미클로스;엠마필립조오지 |
分类号 |
G11C14/00;G11C11/22;H01L21/8242;H01L21/8246;H01L21/8247;H01L27/10;H01L27/105;H01L27/108;H01L29/788;H01L29/792 |
主分类号 |
G11C14/00 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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