| 发明名称 | ITO溅射靶 | ||
| 摘要 | 本发明提供了ITO溅射靶，它是在经过机械磨削的由含有氧化铟和氧化锡中至少一种氧化物(ITO)组成的靶的溅射面上镀覆了膜厚超过1微米的ITO膜。根据本发明，可制得能有效减少初期电弧的产生并且初期稳定性高的溅射靶，用所述溅射靶进行溅射时，能以高生产率有效形成高性能薄膜。此外，由于可省去精磨削工序，因此可简化磨削工序，并降低成本。 | ||
| 申请公布号 | CN1207432C | 申请公布日期 | 2005.06.22 |
| 申请号 | CN02142798.4 | 申请日期 | 2002.09.18 |
| 申请人 | 三井金属鉱业株式会社 | 发明人 | 尾野直纪 |
| 分类号 | C23C14/08;C23C14/34 | 主分类号 | C23C14/08 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 沙永生 |
| 主权项 | 1.ITO溅射靶，其特征在于，它是在经过机械磨削的由含有氧化铟和氧化锡中至少一种的氧化物即ITO组成的靶的溅射面上镀覆了膜厚为1.35～2.7微米的ITO膜。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||