互补双极晶体管及其制造方法

摘要

有横向npn双极晶体管，垂直和横向pnp双极晶体管，集成注入逻辑，扩散电容器、多晶硅电容器和多晶硅电阻器的互补双极晶体管。横向双极晶体管有包括高浓度区和低浓度区的发射区和集电区，发射区形成在n型桶形区中。集成注入逻辑电路中，集电区由高浓度p型区包围，低浓度p型区形成在集电区下面。一个衬底中形成扩散电容器和多晶硅电容器。扩散区在形成多晶硅电阻器之前，除了把多晶硅电阻器中的杂质扩散进外延层中形成的区域之外，还形成沿多晶硅电阻器的多晶硅电极。

主权项

1.一种具有电容器的半导体器件，其包括：第一导电类型的半导体层；形成在半导体层中的第一导电类型区；形成在衬底上的第一绝缘层，具有露出第一导电类型区的第一和第二接触孔；形成在第一绝缘层上的多晶硅层；覆盖多晶硅层和第一接触孔的第二绝缘层，其具有露出部分多晶硅层的第三接触孔；形成在第二绝缘层的一部分上面的第一电极，位于第一接触孔上面；通过第二接触孔连接到第一导电类型区上的第二电极；形成在第二绝缘层的一部分上面的第三电极，位于多晶硅层上面；通过第三接触孔连接到多晶硅层的第四电极。