| 摘要 |
<p>플로팅 게이트, 제어 게이트, 소오스 및 드레인, 및 실리사이드 층을 포함하는 메모리 셀을 복수개 구비하는 반도체 장치가 제공된다. 플로팅 게이트는 제 1 도전형의 반도체 기판상에 게이트 절연막을 매개로 주변 영역으로부터 절연되도록 형성된다. 제어 게이트는 이 플로팅 게이트 상에 ONO 막을 매개로 형성된다. 소오스 및 드레인은 플로팅 게이트의 2 개의 측면 상의 반도체 기판상에 형성되며 제 2 도전형의 불순물로 도핑된다. 실리사이드 층은 이 드레인 및 소오스 중의 하나 이상의 표면상에 형성된다. 또한, 이러한 반도체 장치의 제조방법도 개시한다.</p> |
