| 摘要 |
<p>본 명세서에는 모두 평균 상태로 변화가능한 다수의 자성 터널 접합들을 구비하는 자기 메모리 소자들이 개시된다. 예를 들어, 어레이에 걸쳐 다수의 교차 영역들을 형성하는 다수의 개별적인 제 1 및 제 2 전기적 전도성 교차 라인을 구비하는 자기 랜덤 액세스 메모리(a magnetic random access memory : "MRAM")가 개시된다. 어레이는 다수의 교차 영역들 중 개별적인 하나의 영역에 각각 배치된 다수의 자기 메모리 셀들을 포함한다. 각각의 셀은 개별적인 제 1 및 제 2 전도성 라인을 통해 인가된 전기적 자극과 이로 인해 발생된 자기 자극에 따라, 모두 평균 상태로 변화가능한 적어도 두 개의 자성 터널 접합들을 포함한다. 각각의 자기 메모리 셀에 제공된 적어도 두 개의 자성 터널 접합들은 어레이에 걸쳐 모든 셀들에 대해 예측가능한 자기 응답을 제공한다. 교차영역에서, 선택된 영역을 형성하는 각각의 제 1 및 제 2 전기적 전도성 라인을 통해 인가된 자극에 의해 선택된 셀만이 기록되고, 선택된 영역을 형성하는 제 1 및 제 2 전기적 전도성 라인을 따라 배열된 다른 셀들은 기록되지 않는다. 인가된 전기적 자극과 이로 인해 발생된 자기 자극의 동작 윈도우(an operating window)는 메모리 어레이에 걸쳐 셀 선택성을 보증하도록 정의될 수 있다.</p> |
