| 摘要 |
<p>본 발명은 쵸크라스키법에 의해 실리콘 반도체 등의 단결정 잉고트를 제조하는 방법에 관한 것으로, 그 목적은 단결정내 불순물농도의 분산을 저감할 수 있고 아울러 단결정을 안정하게 제조할 수 있는 단결정의 제조방법을 제공함에 있다. 본 발명은 도가니내 융액에 종결정을 접촉시킨 다음 천천히 인상하여 단결정 잉고트를 육성하는 쵸크라스키법에 의한 단결정을 제조하는 방법에 있어서, 상기 인상조건은 상기 도가니를 둘러싸는 히터의 사용시간에 대응하여 조정하는데 그 기술적요지가 있다. 본 발명에서 조정되는 인상조건은 도가니에 대한 히터의 상대위치, 도가니의 회전수, 결정의 회전수, 노내의 분위기 압력, 가스유량중 적어도 한 항목으로 한다.</p> |
