发明名称 METHOD FOR PRODUCING A TWOSIDE BLOCKING POWER SEMICONDUCTOR
摘要 <p>본 발명은, 간단히 변환될 수 있고 경제적이며 양면으로 차단되는 파워 소자를 제조하기 위한 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따라 제안된 방법은, a) 디스크(1)를 제 2면(4)상에서 제 2도전형의 기판(5)과 결합하여 하나의 웨이퍼로 형성하는 단계; b) 상기 웨이퍼상에 있는 파워 소자의 에지에서 디스크(1) 내부에 트렌치(7)를 형성하는 단계; c) 소자의 후방 차단 능력을 위해 에지 폐쇄부를 포함하는 제 2도전형의 연결 영역(9)을 디스크(1)의 제 1면(3)상에 형성하며, 제 2도전형의 제 1층(6)을 트렌치(7)의 노출 표면상에 형성함으로써, 기판(5)과 연결 영역(9) 사이에 전기 콘택을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.</p>
申请公布号 KR19990072362(A) 申请公布日期 1999.09.27
申请号 KR19990003331 申请日期 1999.02.02
申请人 null, null 发明人 슐체,한스-요아힘
分类号 H01L29/744;H01L21/18;H01L21/332;H01L21/76;H01L21/78;H01L29/06;H01L29/78 主分类号 H01L29/744
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利