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<p>제조시 높은 수율을 가지며 고온 및 고 출력 동작시 안정한 자기 발진할 수 있는 자기 발진형 반도체 레이저에서, 안정한 발진을 발생시키기 위해, 전류는 활성층의 횡방향으로 확산되지 않도록 설계되고 넓은 포화가능 흡수 영역은 광 스팟을 확산시키지 않도록 보호된다. 그러므로, 전류 협착층을 갖는 p형 AlGaInP 클라드층의 두께 d는 예를 들어 d ≤ 400nm, 바람직하게는 d ≤ 350 nm가 되도록 설정되고, 스트라이프부에 대응하는 횡방향의 도파 부분 및 그의 양측에 대응하는 부분 간의 굴절율차 △n(=n1-n2)를 연속적으로 발진을 발생시킬수 있는 0.001 및 0.003 사이의 작은 값으로 유지하기 위해서, n형 AlGaInP 클라드층측 상의 가이드층의 두께는 p형 AlGaInP 클라드층 상의 가이드층의 것보다 더 두껍게 하여 SCH 구조를 비대칭화한다.</p> |
