发明名称 TRANSISTOR CIRCUIT HAVING DYNAMIC THRESHOLD VOLTAGE
摘要 <p>본 발명은 입력 노드와 트랜지스터의 몸체 사이에 연결된 저항을 포함하는 동적 문턱 전계 효과 트랜지스터(DTFET)에 관한 것으로, DTFET는 저항을 포함하므로써, 벌크 기법에서 구현될 수 있고, 0.5 볼트보다 큰 전원 전압을 사용할 수 있으며, 저항은 트랜지스터 내부에 집적될 수도 있고, 트랜지스터와는 별도의 개별 구성요소로서 존재할 수도 있다.</p>
申请公布号 KR19990072245(A) 申请公布日期 1999.09.27
申请号 KR19990000685 申请日期 1999.01.13
申请人 null, null 发明人 노왝에드워드제이;로씨로날드디;통민에이치
分类号 H01L29/78;G11C19/28;H01L21/8234;H01L27/088;H01L27/115;H01L29/772 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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