| 摘要 |
<p>Un ensemble de mémoire à accès direct ferroélectrique (FeRAM) remplace une mémoire fixe (ROM), une mémoire morte programmable (PROM), et/ou une mémoire morte programmable effaçable électriquement (EEPROM) dans un dispositif de commande programmable et constitue des cellules de mémoire non volatile pour des mémoires de code, des mémoires de données, des registres (y compris des registres périphériques), des automates finis et le microcode (le cas échéant) dans le dispositif. Le dispositif de commande programmable contient un processeur (66'), et des cellules de mémoire ferroélectrique non volatile ainsi qu'un ensemble de mémoire ferroélectrique. L'ensemble possède une mémoire de code (60') qui renferme un programme destiné à commander le processeur, une mémoire de données (62') qui stocke temporairement des données du processeur, et un ou plusieurs registres (64') qui renferment les données manipulées par le processeur. La mémoire de code, la mémoire de données et les registres sont de la mémoire mappés en mémoire sur l'ensemble de mémoire ferroélectrique. Les automates finis (70') et les registres périphériques sont constitués de cellules de mémoire ferroélectrique. Le dispositif de commande programmable peut également comprendre le microcode (69') qui coopère avec le processeur de manière à modifier la fonction du processeur. Le microcode est mappé en mémoire sur l'ensemble de cellules de mémoire ferroélectrique.</p> |
