| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung des extrinsischen Basisbereichs eines NPN-Transistors mit einer bipolaren Hochfrequenztechnologie |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE69700248(T2) |
申请公布日期 |
1999.09.23 |
| 申请号 |
DE19976000248T |
申请日期 |
1997.07.02 |
| 申请人 |
STMICROELECTRONICS S.A., GENTILLY |
发明人 |
LOHEAC, JEAN-LUC |
| 分类号 |
H01L29/73;H01L21/265;H01L21/331;H01L29/732;(IPC1-7):H01L21/331 |
主分类号 |
H01L29/73 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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