| 摘要 |
<p>Ein Speicherkondensator ist zwischen einem ersten Source/Drain-Gebiet (S/D1a) eines vertikalen Auswahltransistors und einer Bitleitung (Ba) geschaltet. Da der Speicherkondensator und die Bitleitung (Ba) im wesentlichen oberhalb eines Substrats (1a) angeordnet sind, ist die Bitleitung (Ba) aus Materialien hoher elektrischer Leitfähigkeit herstellbar, und können für den Speicherkondensator Materialien mit hohen Dielektrizitätskonstanten eingesetzt werden. Mindestens das erste Source/Drain-Gebiet (S/D1a) und ein Kanalgebiet (KAa) sind Teile einer vorsprungsartigen Halbleiterstruktur (STa), die von mindestens zwei Flanken seitlich begrenzt wird. An den zwei Flanken können jeweils eine Wortleitung angeordnet sein. Zwischen dem Kanalgebiet (KAa) und einer der Wortleitungen ist ein Element (Ca) angeordnet, das die Ansteuerung des Auswahltransistors durch diese Wortleitung verhindert. Ein zweites Source/Drain-Gebiet (S/D2a) des Auswahltransistors ist im Substrat (1a) vergraben und ist z.B. Teil einer dotierten Schicht (S1a) oder eines gitterförmigen dotierten Gebiets oder ist über einen vergrabenen Kontakt mit dem Substrat (1a) verbunden. Eine Speicherzelle ist sowohl bei open Bitleitungen als auch bei folded Bitleitungen mit einer Fläche von 4F2 herstellbar.</p> |
