| 主权项 |
1.一种半导体结构,包含: 一基板,具有一顶表面; 一晶片接合垫,位于该基板之该顶表面之上,该晶 片接合垫具有一晶片接合区及电性连接于该晶片 接合区之至少一基板接地垫区,该晶片接合垫进一 步包含一晶片接合止动区于该晶片接合区与该至 少一基板接地垫区之间,其中该晶片接合止动区系 包含一开口,该开口系设置在晶片接合垫中且系在 该晶片接合区以及至少一个该基板接地垫区之间, 其中该开口之深度系约等于该晶片接合垫之高度; 其中该晶片接合止动区控制并限制晶片接合黏着 剂之流出。 2.如申请专利范围第1项之半导体结构,进一步包含 一散热器,位于该基板之一底表面之上,该基板含 至少一通孔,用于提供该至少一基板接地垫区至该 散热器间之连接。 3.如申请专利范围第1项之半导体结构,其中该晶片 接合止动区包含一拦阻坝,位于该至少一基板接地 垫区之上且电性耦合于该至少一基板接地垫区。 4.如申请专利范围第3项之半导体结构,其中该拦阻 坝包含一顶表面及一壁,该壁自该拦阻坝之该顶表 面延伸至该至少一基板接地垫区,该晶片接合止动 区包含该壁。 5.如申请专利范围第3项之半导体结构,进一步包含 一散热器,位于该基板之一底表面之上,该基板含 至少一通孔,用于提供该至少一基板接地垫区至该 散热器间之连接。 6.一种半导体结构,包含: 一基板,具有一顶表面; 一晶片接合垫,位于该基板之该顶表面之上,该晶 片接合垫具有一晶片接合区及至少一电性连接于 该晶片接合区之基板接地垫区,该晶片接合垫进一 步包含一晶片接合止动区于该晶片接合区与该至 少一基板接地垫区之间,其中该晶片接合止动区系 包含一开口,该开口系设置在晶片接合垫中且系在 该晶片接合区以及至少一个该基板接地垫区之间, 其中该开口之深度系约等于该晶片接合垫之高度; 一半导体晶片,藉晶片接合黏着剂固定于该晶片接 合区; 其中该晶片接合止动区控制并限制晶片接合黏着 剂之流出。 7.如申请专利范围第6项之半导体结构,进一步包含 一散热器,位于该基板之一底表面之上,该基板含 至少一通孔,用于提供该至少一基板接地垫区至该 散热器间之连接。 8.如申请专利范围第6项之半导体结构,其中该晶片 接合止动区包含一拦阻坝,位于该至少一基板接地 垫区之上且电性耦合于该至少一基板接地垫区。 9.如申请专利范围第8项之半导体结构,其中该拦阻 坝包含一顶表面及一壁,该壁自该拦阻坝之该顶表 面延伸至该至少一基板接地垫区,该晶片接合止动 区包含该壁。 10.如申请专利范围第8项之半导体结构,进一步包 含一散热器,位于该基板之一底表面之上,该基板 含至少一通孔,用于提供该至少一基板接地垫区至 该散热器间之连接。 11.如申请专利范围第8项之半导体结构,进一步包 含至少一晶片配线搭接垫,在该半导体晶片之上; 一搭接配线之第一末端,搭接于该至少一晶片配线 搭接垫;以及该搭接配线之第二末端,搭接于该拦 阻坝上之一陆块区。 12.如申请专利范围第11项之半导体结构,进一步包 含一散热器,位于该基板之一底表面之上,该基板 含至少一通孔,用于提供该至少一基板接地垫区至 该散热器间之连接。 13.一种用于收纳半导体晶片之结构的制造方法,该 方法包含下列步骤: 制造一具有一顶表面之基板,该基板具有一晶片接 合垫,该晶片接合垫位于该基板之该顶表面之上, 该晶片接合垫具有一晶片接合区及至少一电性连 接于该晶片接合区之基板接地垫区; 形成一晶片接合止动区于该晶片接合区与该至少 一基板接地垫区之间,其中该晶片接合止动区系包 含一开口,该开口系设置在晶片接合垫中且系在该 晶片接合区以及至少一个该基板接地垫区之间,其 中该开口之深度系约等于该晶片接合垫之高度; 其中该晶片接合止动区控制并限制晶片接合黏着 剂之流出。 14.如申请专利范围第13项之方法,其中该基板进一 步包含一散热器,位于该基板之一底表面之上,该 基板含一通孔,用于提供该至少一基板接地垫区至 该散热器间之连接。 15.如申请专利范围第13项之方法,其中形成该晶片 接合止动区包含形成一拦阻坝,位于该至少一基板 接地垫区之上且电性耦合于该至少一基板接地垫 区。 图式简单说明: 第1图描绘习知半导体晶片封装结构之横剖面视图 ; 第2A图描绘根据本发明一实施例之代表性结构的 横剖面视图。 第2B图描绘第2A图之代表性结构的顶视图; 第3图描绘根据本发明一实施例之代表性结构的横 剖面视图;以及 第4图描绘根据本发明一实施例之代表性结构的横 剖面视图。 |
